一套低本底反康普顿高纯锗γ谱仪研制过程中若干技术问题… |
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引用本文: | 韩峰,魏玉锦.一套低本底反康普顿高纯锗γ谱仪研制过程中若干技术问题…[J].核电子学与探测技术,1996,16(2):135-141. |
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作者姓名: | 韩峰 魏玉锦 |
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摘 要: | 本文重点介绍了一套反康普顿低本底高纯锗(HPGe)γ谱仪研制过程中,针对遇到的一些技术问题所采取的解决方法和措施。主要包括屏蔽室的加工改造、主探头升降装置的设计、工作稳定性的改进、反符合系统的调试及谱仪刻度和样品测量等。谱仪主要技术指标为:能量分辨率FWHM=1.77keV(1332.5keV),峰康比694:1(662keV),康普顿积分抑制系数3.8(^137Cs50 ̄595keV),相对探测
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关 键 词: | 高纯锗 反康普 γ谱仪 |
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