| Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研制 |
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| 引用本文： | 王东方,袁婷婷,魏珂,刘新宇,刘果果.Ka波段AlGaN/GaN HEMT的研制[J].红外与毫米波学报,2011,30(3):255-259. |
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| 作者姓名： | 王东方 袁婷婷 魏珂 刘新宇 刘果果 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院微电子研究所,北京100029;中国科学院研究生院,北京100049
2. 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 基金项目： | 60890191,国家自然科学基金项目（面上项目，重点项目，重大项目） |
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| 摘 要： | 为了提高AlGaN/GaN HEMT的频率,采用了缩小源漏间距、优化栅结构和外围结构等措施设计了器件结构,并基于国内的GaN外延片和工艺完成了器件制备.测试表明所研制的AlGaN/GaN HEMT可以满足Ka波段应用.其中2×75μm栅宽AlGaN/GaN HEMT在30V漏压下的截止频率为32GHz,最大振荡频率为1...
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| 关 键 词： | 氮化镓 高电子迁移率晶体管 Ka波段 毫米波 |
| 收稿时间： | 3/4/2010 10:45:31 AM |
| 修稿时间： | 2010/6/15 0:00:00 |
Design and implementation of Ka band AlGaN/GaN HEMTs |
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| WANG Dong-Fang,YUAN Ting-Ting,WEI Ke,LIU Xin-Yu and LIU Guo-Guo.Design and implementation of Ka band AlGaN/GaN HEMTs[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2011,30(3):255-259. |
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| Authors: | WANG Dong-Fang YUAN Ting-Ting WEI Ke LIU Xin-Yu and LIU Guo-Guo |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Scienses,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Scienses,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Scienses,Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Scienses,Graduated University of Chinese Academy of Scienses |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN/AlGaN HEMT Ka band millimeter-wave |
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