| CMOS器件的等时、等温退火效应 |
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| 引用本文： | 何宝平,龚建成,王桂珍,罗尹虹,姜景和. CMOS器件的等时、等温退火效应[J]. 半导体学报, 2004, 25(3): 302-306 |
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| 作者姓名： | 何宝平 龚建成 王桂珍 罗尹虹 姜景和 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,西安,710024;西北核技术研究所,西安,710024;西北核技术研究所,西安,710024;西北核技术研究所,西安,710024;西北核技术研究所,西安,710024 |
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| 摘 要： | 研究了辐射后CMOS器件的等温、等时退火特性,给出了n MOSFET和p MOSFET器件不同条件下的对比结果.研究表明:10 0℃等温退火是最有效的,等时退火所需的全过程时间最短,通过2 5℃与10 0℃等温退火结果的比较,可以确定此种器件的加速因子.相对于0 V和浮空偏置条件,在+5 V栅偏压退火情况下,阈值电压恢复速度快,恢复程度大.
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| 关 键 词： | 等温退火 等时退火 剂量率 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)03-0302-05 |
| 修稿时间： | 2003-03-18 |
Isothermal and Isochronal Annealing Characteristics in Irradiated MOS Devices |
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| He Baoping,Gong Jiancheng,Wang Guizhen,Luo Yinhong and Jiang Jinghe. Isothermal and Isochronal Annealing Characteristics in Irradiated MOS Devices[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2004, 25(3): 302-306 |
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| Authors: | He Baoping Gong Jiancheng Wang Guizhen Luo Yinhong Jiang Jinghe |
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| Keywords: | isothermal annealing isochronal annealing dose rate |
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