| 热处理对电沉积制备CuInGaSe2薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 李建庄 赵修建 夏冬林. 热处理对电沉积制备CuInGaSe2薄膜的影响[J]. 感光科学与光化学, 2005, 23(4): 241-246 |
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| 作者姓名： | 李建庄 赵修建 夏冬林 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室，湖北武汉430070 |
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| 摘 要： | CuInGaSe2薄膜太阳能电池因具有稳定、高效、低成本和环保等特点而受到国内外科学家的重视．采用Mo／钠钙玻璃衬底为研究电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系，在钼／钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制备出太阳能电池用的CuInGaSe2薄膜．分析了不同热处理温度对电沉积制备的CuInGaSe2薄膜的影响，结果表明：当热处理温度为450℃时，所制备的CuInGaSe2薄膜的化学组成接近理想的化学计量比，薄膜具有黄铜矿结构，颗粒均匀和致密性较好．
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| 关 键 词： | CuInGaSe2 薄膜 热处理 太阳能电池 电沉积 |
| 文章编号： | 1000-3231(2005)04-0241-06 |
| 修稿时间： | 2005-01-21 |
The Influence of Heat-Treatment on CuInGaSe2 Thin Films by Electrodeposition |
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| LI Jian-zhuang,ZHAO Xiu-jian,XIA Dong-Iin. The Influence of Heat-Treatment on CuInGaSe2 Thin Films by Electrodeposition[J]. Photographic Science and Photochemistry, 2005, 23(4): 241-246 |
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| Authors: | LI Jian-zhuang ZHAO Xiu-jian XIA Dong-Iin |
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| Keywords: | CuInGaSe2 thin films heat-treatment solar cells electrodeposition |
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