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HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能
引用本文:任丙彦,刘晓平,许颖,王敏花,廖显伯. HIT太阳电池中ITO薄膜的结构和光电性能[J]. 太阳能学报, 2007, 28(5): 504-507
作者姓名:任丙彦  刘晓平  许颖  王敏花  廖显伯
作者单位:1. 河北工业大学(院部)信息功能材料研究所,天津,300130
2. 河北工业大学(院部)信息功能材料研究所,天津,300130;北京市太阳能研究所,北京,100083
3. 北京市太阳能研究所,北京,100083;中科院半导体所表面物理室,北京,100083
4. 中科院半导体所表面物理室,北京,100083
摘    要:采用射频磁控溅射技术在不同射频功率下沉积了ITO薄膜,并将其应用于HIT太阳电池。分析了薄膜的结构、光电特性。结果表明,在120W时制备的薄膜很好地兼顾了电阻率和光透过率,其电阻率为3.48×10-4Ω.cm、在350~800 nm波段的平均光透过率为87.1%,将其应用于HIT太阳电池上,电池的转换效率可达13.38%。

关 键 词:氧化铟锡薄膜  射频磁控溅射  陶瓷靶  HIT太阳电池
文章编号:0254-0096(2007)05-0504-04
修稿时间:2006-06-19

STRUCTURAL AND PHOTOELECTRIC PROPERTY OF ITO THIN FILMS FOR HIT SOLAR CELLS
Ren Bingyan,Liu Xiaoping,Xu Ying,Wang Minhua,Liao Xianbo. STRUCTURAL AND PHOTOELECTRIC PROPERTY OF ITO THIN FILMS FOR HIT SOLAR CELLS[J]. Acta Energiae Solaris Sinica, 2007, 28(5): 504-507
Authors:Ren Bingyan  Liu Xiaoping  Xu Ying  Wang Minhua  Liao Xianbo
Affiliation:1. School of Material Science and Engineering Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China ; 2. Beijing Solar Energy Research Institute, Beijing 100083, China; 3. Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China
Abstract:
Keywords:indium tin oxide  radio-frequency magnetron sputtering  ceramic target  HIT solar cells
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