| 大功率超快半导体光电导开关的触发瞬态特性 |
| |
| 引用本文： | 施卫,赵卫,孙小卫,LamYeeLoy. 大功率超快半导体光电导开关的触发瞬态特性[J]. 半导体学报, 2000, 21(5): 421-425 |
| |
| 作者姓名： | 施卫 赵卫 孙小卫 LamYeeLoy |
| |
| 作者单位： | 西安理工大学应用物理系西安 710048 中国,西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室西安 710068 中国,南洋理工大学电气电子工程学院新加坡 639798 |
| |
| 摘 要： | 报道了用ns和fs超快脉冲激光器触发GaAs光电导开关的实验结果.用μJ量级的ns光脉冲触发3mm间隙的GaAs光电导开关,观察到线性和非线性工作模式,峰值电流达560A.当用重复率为76MHz的fs激光脉冲串触发同一器件时,电流脉冲上升时间小于200ps
|
| 关 键 词： | 超快电磁脉冲源 光电导开关 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)05-0421-05 |
| 修稿时间： | 1999-11-02 |
Transit Properties of High Power Ultra-Fast Photoconductive Semiconductor Switch |
| |
| SHI Wei,ZHAO Wei,SUN Xiao|wei and Lam Yee Loy+. Transit Properties of High Power Ultra-Fast Photoconductive Semiconductor Switch[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(5): 421-425 |
| |
| Authors: | SHI Wei ZHAO Wei SUN Xiao|wei Lam Yee Loy+ |
| |
| Affiliation: | SHI Wei1,ZHAO Wei2,SUN Xiao|wei3 and Lam Yee Loy+3 |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ultra|short electromagnetic pulse source photoconductive switch |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
