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浮栅ROM器件γ射线、X射线和中子辐射效应实验研究
引用本文:何宝平,张凤祁,姚志斌. 浮栅ROM器件γ射线、X射线和中子辐射效应实验研究[J]. 原子能科学技术, 2007, 41(4): 489-492. DOI: 10.7538/yzk.2007.41.04.0489
作者姓名:何宝平  张凤祁  姚志斌
作者单位:西北核技术研究所, ;陕西 ;西安 ; 710613
摘    要:本工作涉及浮栅ROM器件AT29C256的γ射线、X射线和反应堆快中子辐照实验测量。测量结果表明,浮栅ROM器件γ射线、X射线和快中子辐照效应是典型的总剂量效应。错误发生存在剂量阈值,开始出错时的错误数及错误地址不确定,错误数随辐照剂量或注量的增大而增加。

关 键 词:浮栅ROM器件   γ射线   X射线   中子   总剂量效应
文章编号:1000-6931(2007)04-0489-04
收稿时间:2006-03-06
修稿时间:2006-03-062006-09-05

Experimental Study on Irradiation Effects of γ, X and Neutron in Floating ROM Devices
HE Bao-ping,ZHANG Feng-qi,YAO Zhi-bin. Experimental Study on Irradiation Effects of γ, X and Neutron in Floating ROM Devices[J]. Atomic Energy Science and Technology, 2007, 41(4): 489-492. DOI: 10.7538/yzk.2007.41.04.0489
Authors:HE Bao-ping  ZHANG Feng-qi  YAO Zhi-bin
Affiliation:Northwest Institute of Nuclear Technology, Xi’an 710613, China
Abstract:γ-ray,X-ray and neutron irradiation effects of floating ROM devices were measured. The measured results show γ-ray,X-ray and neutron irradiation effects of floating ROM devices are total dose effects. There is a dose threshold when error occurs. At the beginning of error occurrence, the error address and data are random, and the data errors number goes up with the increase of dose or fluence.
Keywords:floating ROM device  γ-ray  X-ray  neutron  total dose effect
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