|
|||||
|
|
| 用MOCVD方法生长二氧化钛膜的研究 | |
| 作者姓名： | 金海岩 黄长河 |
| 作者单位： | 复旦大学材料科学系 |
| 摘 要： | 二氧化钛用MOCVD方法生长于硅衬底上，膜厚在0．1～1μm之间．本文考察了温度对生长速率的影响，其中生长速率与衬底温度和有机源的温度都成指数关系，并通过作图求出钛源的活化能Ea＝1．05eV．TEM测试结果表明，生成的二氧化钛是多晶膜，为锐钛矿结构．将样品作XPS分析，测试出Ti3+随氧气流量的增加而减少，进一步研究表明，二氧化钛是n型半导体，它的电阻率随钛三价离子的减少而增大． |
| 关 键 词： | 二氧化钛 MOCVD生长 半导体薄膜技术 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |