| 聚酰亚胺薄膜的离子束改性及低温导电特性研究 |
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| 引用本文： | 王晓强,甄聪棉.聚酰亚胺薄膜的离子束改性及低温导电特性研究[J].硅酸盐通报,2009,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 王晓强 甄聪棉 |
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| 作者单位： | 1. 东北大学秦皇岛分校材料科学与工程学院,秦皇岛,066004
2. 河北师范大学物理科学与信息工程学院,石家庄,050016 |
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| 摘 要： | 在室温下用3 MeV的硅离子对聚酰亚胺(PI)薄膜进行注入,注入离子浓度为1×1012～1×1015 ions/cm2.对注入后的样品进行了拉曼光谱和电学性质的测试.拉曼分析表明:随注入量的增大,PI薄膜的结构有从绝缘体→类金刚石→石墨这样一个逐渐碳化的变化过程,即样品中的苯环,-CH3-等官能团减少,说明样品随注入量的增大逐渐碳化;电学性质测量表明,随着注入量的增大,样品的电阻逐渐下降.分析认为离子注入使聚合物碳化是引起聚合物电学性质发生改变的重要原因.
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| 关 键 词： | 聚酰亚胺薄膜 高能离子 注入 改性 |
Modified Polyimide Films Injected with High Energy Ion |
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| WANG Xiao-qiang,ZHEN Cong-mian.Modified Polyimide Films Injected with High Energy Ion[J].Bulletin of the Chinese Ceramic Society,2009,28(Z1). |
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| Authors: | WANG Xiao-qiang ZHEN Cong-mian |
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