| PZT薄膜的MOCVD制备技术 |
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| 引用本文： | 阮勇,谢丹,任天令,林惠旺,刘理天.PZT薄膜的MOCVD制备技术[J].纳米技术与精密工程,2008,6(1):64-67. |
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| 作者姓名： | 阮勇 谢丹 任天令 林惠旺 刘理天 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子所,北京100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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全国博士后科学基金 |
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| 摘 要： | 采用直接液体榆运-金属有机化合物化学气相沉积技术（DLI-MOCVD）制备Pb（ZrxTi1-x）O3薄膜（PZT薄膜），并进行了相关研究，通过调节MOCVD中影响PZT质量的主要工艺参数（温度、压力、系统的气体（Ar，O2）流量、衬底转速、蠕动泵速），制备不同组分PZT薄膜（均匀性≥±95％，尺寸为2．54—20．32cm（1—8in），厚度为50—500nm）．经XRD测试可见，PZT薄膜已形成钙钛矿结构．用SEM对其表面进行分析，结果表明，PZT薄膜表面致密均匀．
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| 关 键 词： | 金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD) 锆钛酸铅(PZT) 压电 铁电 |
| 文章编号： | 1672-6030（2008）01-0064-04 |
| 收稿时间： | 2007-08-16 |
MOCVD Technology for PZT Thin Films |
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| RUAN Yong,XIE Dan,REN Tian-ling,LIN Hui-wang,LIU Li-tian.MOCVD Technology for PZT Thin Films[J].Nanotechnology and Precision Engineering,2008,6(1):64-67. |
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| Authors: | RUAN Yong XIE Dan REN Tian-ling LIN Hui-wang LIU Li-tian |
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| Affiliation: | (Institute of Microelectronic, Tsinghua University, Beijing 100084, China) |
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| Abstract: | Pb（ZrxTi1-x ）O3 thin films （PZT thin films） were prepared on Pt-coated Si substrates using direct liquid injection-metal organic chemical vapor deposition（DLI-MOCVD） technology, and we investigated the effects of MOCVD parameters （temperature, pressure, air flow capacity（Ar, O2 ） of the system, rotation rate of wafer carrier, and rotation rate of peristaltic pump, etc. ） on the quality of PZT. PZT thin films with different components were deposited（roughness lower than 5 %, substrate diameter from 2.54 cm （1 inch） to 20.32 cm （8 inch）, thickness from 50 nm to 500 nm）. XRD result indicates the PZT thin film has been pemvisikite structure, and SEM result shows the surface of PET thin film is uniform. |
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| Keywords: | metal organic chemical vapor deposition （MOCVD） Pb （ ZrxTi1-x ） O3 （PZT） piezoelectric ferro-electric |
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