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| 硅基薄膜太阳电池（十） | |
| 引用本文： | 张晓丹,赵颖,熊绍珍.硅基薄膜太阳电池（十）[J].太阳能,2012(21):14-16. |
| 作者姓名： | 张晓丹 赵颖 熊绍珍 |
| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所 光电信息技术科学教育部重点实验室 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室 |
| 摘 要： | 单结硅基薄膜太阳电池的Ｖoc、Jsc。与带隙之间的实验结果如图48所示。由图中可知，晶体材料基本符合Green的半经验极限，据Kiess的理论数值有一个近乎平行的整体位移，而薄膜电池中多晶CdTe电池离Green极限有一定差距，而无定形非晶硅电池则差距较大，这与薄膜材料的结构、性能、制备工艺成熟程度明显相关。该数据对非晶硅电池的数据显得陈旧，目前Koc达到1V并非难事。 |
| 关 键 词： | 薄膜太阳电池 硅基 Green 非晶硅电池 晶体材料 整体位移 CdTe 薄膜电池 |
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