| 无坑洞n-3C-SiC/p-Si(100)的LPCVD外延生长及其异质结构特性 |
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| 引用本文： | 孙国胜,孙艳玲,王雷,赵万顺,罗木昌,张永兴,曾一平,李晋闽,林兰英. 无坑洞n-3C-SiC/p-Si(100)的LPCVD外延生长及其异质结构特性[J]. 半导体学报, 2003, 24(6): 567-573 |
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| 作者姓名： | 孙国胜 孙艳玲 王雷 赵万顺 罗木昌 张永兴 曾一平 李晋闽 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，北京100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);G20000683; |
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| 摘 要： | 在MBE/CVD高真空系统上,利用低压化学气相淀积( L PCVD)方法在直径为5 0 mm的单晶Si( 10 0 )衬底上生长出了高取向无坑洞的晶态立方相碳化硅( 3 C- Si C)外延材料,利用反射高能电子衍射( RHEED)和扫描电镜( SEM)技术详细研究了Si衬底的碳化过程和碳化层的表面形貌,获得了制备无坑洞3 C- Si C/Si的优化碳化条件,采用霍尔( Hall)测试等技术研究了外延材料的电学特性,研究了n- 3 C- Si C/p- Si异质结的I- V、C- V特性及I- V特性对温度的依赖关系.室温下n- 3 C- Si C/p- Si异质结二极管的最大反向击穿电压达到2 2 0 V,该n- 3 C- Si C/p- Si异质结构可用于制
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| 关 键 词： | LPCVD 无坑洞n-3C-SiC/p-Si 异质结特性 |
Heteroepitaxial Growth and Heterojunction Characteristics of Voids-Free n-3C-SiC on p-Si(100) |
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| SUN Guosheng,Sun Yanling,Wang Lei,Zhao Wanshun,Luo Muchang,Zhang Yongxing,Zeng Yiping,Li Jinmin,Lin Lanying. Heteroepitaxial Growth and Heterojunction Characteristics of Voids-Free n-3C-SiC on p-Si(100)[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(6): 567-573 |
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| Authors: | SUN Guosheng Sun Yanling Wang Lei Zhao Wanshun Luo Muchang Zhang Yongxing Zeng Yiping Li Jinmin Lin Lanying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | LPCVD voids-free n-3C-SiC/p-Si(100) heterojunction characteristics |
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