| 一种CMOS能隙电压参考源的温度曲率校正设计 |
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| 引用本文： | 薛庆华,周玉梅. 一种CMOS能隙电压参考源的温度曲率校正设计[J]. 河北工业大学学报, 2003, 32(3): 5-8 |
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| 作者姓名： | 薛庆华 周玉梅 |
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| 作者单位： | 中国科学院,微电子中心,北京,100029 |
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| 摘 要： | 介绍了能隙电压源温度曲率校正的概念与原理，设计了一个CMOS工艺的高温校正的电流模式的能隙电压源．电路没有采用运算放大器，从而使设计得到了简化．采用2μm p阱CMOS工艺模型模拟分析，可以发现该参考源在0℃-100℃温度范围内有较好的温度特性．
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| 关 键 词： | CMOS工艺 能隙电压源 曲率校正 温度系数 硅的带隙电压 |
| 文章编号： | 1007-2373(2003)03-0005-04 |
| 修稿时间： | 2003-03-30 |
A Curvature-corrected CMOS Bandgap Reference |
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| XUE Qing-hua,ZHOU Yu-mei. A Curvature-corrected CMOS Bandgap Reference[J]. Journal of Hebei University of Technology, 2003, 32(3): 5-8 |
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| Authors: | XUE Qing-hua ZHOU Yu-mei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CMOS bandgap voltage reference curvature-corrected bandgap temperature character si bandgap |
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