| SOI在高压器件中的应用 |
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| 引用本文： | 王石冶 刘卫丽 张苗 林成鲁 宋志棠. SOI在高压器件中的应用[J]. 功能材料, 2004, 35(Z1): 983-987 |
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| 作者姓名： | 王石冶 刘卫丽 张苗 林成鲁 宋志棠 |
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| 作者单位： | 王石冶（中国科学院,上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）;刘卫丽（中国科学院,上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）;张苗（中国科学院,上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）;林成鲁（中国科学院,上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050）;宋志棠（中国科学院,上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050） |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究专项经费(G20000365);国家自然科学基金资助项目(90101012);上海市科技发展基金资助项目(0252nm084和0359nm004) |
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| 摘 要： | 综述了绝缘层上的硅(SOI)材料在高压器件中的应用,分析了SOI高压器件的不同结构,并对现在最常用的RESURF LDMOS高压器件结构,以及不同器件参数对击穿电压的影响进行了分析和讨论.
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| 关 键 词： | SOI 高压器 击穿电压 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-0983-05 |
| 修稿时间： | 2003-11-10 |
The application of SOI in high-voltage devices |
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