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飞思卡尔扩展MRAM产品系列引领非易失性存储器的未来
作者姓名:飞思卡尔半导体(中国)有限公司
作者单位:飞思卡尔半导体(中国)有限公司
摘    要:经常有人将磁阻RAM(MRAM,magneto-resistive random access memory)称作是非易失性存储器nvRAM(non-volatile RAM)在未来的关键性技术.作为一项非易失性存储器技术,MRAM是可以在掉电时保留数据,并且不需要定期刷新.

关 键 词:飞思卡尔  扩展  MRAM  产品系列  非易失性  刷新  数据  掉电  nvRAM  存储器  random  access  memory  磁阻
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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