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| 红外电荷耦合器件(IRCCD)镀抗反射保护膜工艺探讨 | |
| 作者姓名： | 程开富 |
| 作者单位： | 重庆光电所 |
| 摘 要： | 为提高硅化物(如:Pd_2Si或PtSi)肖特基势垒单片式线阵(或面阵)红外CCD和InSb混合式红外CCD的量子效率;我们分别开展了在Si或InSb衬底上用低温低压化学汽相淀积(LTLPCVD)和等离子增强型化学汽相淀积(PECVD)法淀积SiO_2的实验工作。以减少器件表面上入射红外光能的反射损失,提高器件的光窗透过率、红外响应灵敏度和减少杂散光对器件的影响。 |
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