ECL 256×1双极全译码随机存储器组件的电路设计

为了适应千万次以上的大型计算机对超高速存储器的要求,中国科学院上海冶金研究所和北京计算技术研究所共同研制了双极全译码 ECL256×1随机存储器组件。它采用泡发射极、对通隔离、单层布线工艺。存储单元为并联二极管双射极单元1]-4]。芯片面积为2.6×3.2mm~2。试制样品的地址取数时间一般小于23ns。最小写入脉冲宽度小于15ns。功耗一般小于500nW,电源电压-5V±10%。工作时最高环境温度75℃。本文介绍单层布线256×1存储器组件的线路设计和测试结果。