基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试

为了解决射频器件无损测试的难点，基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构，设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关，该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的无损连接，通过矢量网络分析仪对GaAs MESFET SP8T开关性能进行测试，最多可同时测试SP8T开关的8个通道。测试结果显示，1～8 GHz内，器件的插入损耗为-1.5～-3.5 dB,回波损耗为-15～-35 dB,测试过程中未对器件造成损伤。