| 纳米硅微晶对于Er离子掺杂的SiO_2薄膜的光致发光和电致发光的不同影响 |
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| 引用本文： | 张俊杰,孙甲明,杨阳,张新霞,刘海旭,W. Skorupa,M. Helm.纳米硅微晶对于Er离子掺杂的SiO_2薄膜的光致发光和电致发光的不同影响[J].材料科学与工程学报,2009(1). |
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| 作者姓名： | 张俊杰 孙甲明 杨阳 张新霞 刘海旭 W. Skorupa M. Helm |
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| 作者单位： | 南开大学物理学院弱光非线性光子学教育部重点实验室（南开大学）;Institute;Beam;Physics;Materials;Research;Forschungszentrum;Dresden;Rossendorf; |
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| 基金项目： | “973计划”资助项目(2007CB613403);;国家自然科学基金资助项目(60776036);;教育部新世纪人才项目(NCET-07-0459) |
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| 摘 要： | 本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜,在此基础上制备出ITO/SiON/Si-rich SiO2:Er/Si MOS结构电致发光器件,比较研究了硅微晶密度的变化对于MOS结构的电致发光和光致发光特性的影响。随着纳米硅微晶的增多,Er离子在1.54μm处的红外光致发光显著增强,显示出纳米硅微晶对Er离子光致发光的敏化作用。相反,对于电致发光来说,增加纳米硅微晶数量的同时也增加了SiO2薄膜中的电子俘获陷阱,电子在纳米硅微晶之间的隧穿降低了过热电子的数量和平均能量,因而降低了碰撞激发Er离子产生的电致发光效率。
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| 关 键 词： | 铒 电致发光 光致发光 二氧化硅 纳米硅 |
Different Effect of Nanocrystals on the Electroluminescence and Photoluminescence in Er-doped SiO_2 Films |
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| ZHANG Jun-jie,SUN Jia-ming,YANG Yang,ZHANG Xin-xia,LIU Hai-xu,Skorupa W,Helm M.Different Effect of Nanocrystals on the Electroluminescence and Photoluminescence in Er-doped SiO_2 Films[J].Journal of Materials Science and Engineering,2009(1). |
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| Authors: | ZHANG Jun-jie SUN Jia-ming YANG Yang ZHANG Xin-xia LIU Hai-xu Skorupa W Helm M |
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| Affiliation: | 1.Physics Institute of Nankai University;Key Laboratory of Weak Light Nonlinear Photonics;Ministry of Education;Tianjin 300071;China;2.Institute of Ion Beam Physics and Materials Research;Forschungszentrum Dresden Rossendorf;P.O.Box 510119;Dresden D-01314;Germany |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Er electroluminescence photoluminescence Silicon dioxide nanocrystals |
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