| p型透明导电的锡镓氧化物薄膜的制备及其表征 |
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| 引用本文： | 季振国,陈琛,王超,周强,赵丽娜. p型透明导电的锡镓氧化物薄膜的制备及其表征[J]. 真空科学与技术学报, 2005, 25(2): 93-95,99 |
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| 作者姓名： | 季振国 陈琛 王超 周强 赵丽娜 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划)，浙江省分析测试基金 |
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| 摘 要： | 本文通过磁控溅射锡镓合金靶(Ga/Sn=0.2)及热氧化的方法,成功地制备了p型透明导电的锡镓氧化物(TGO)薄膜.X射线衍射(XRD)测试结果表明,TGO薄膜保持SnO2的金红石结构.吸收谱测试表明TGO薄膜在可见光范围内透过率可达到85%以上,其光学禁带宽度Eg约3.8 eV.霍尔效应测试结果表明,TGO薄膜的载流子类型及其浓度与热处理温度密切相关.热氧化温度过高或过低均不利于空穴浓度.当热氧化温度处于(600～700) ℃之间时,可以获得p型透明导电的TGO薄膜,最高空穴浓度高达8.84×1018 cm-3.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 锡镓氧化物 p型导电 透明导电膜 |
| 文章编号： | 1672-7126(2005)02-0093-03 |
Preparation and Characterization of p-type Transparent Conductive Tin-gallium Oxide Films |
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| Ji Zhenguo,Chen Chen,Wang Chao,Zhou Qiang,ZHAO Lina. Preparation and Characterization of p-type Transparent Conductive Tin-gallium Oxide Films[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2005, 25(2): 93-95,99 |
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| Authors: | Ji Zhenguo Chen Chen Wang Chao Zhou Qiang ZHAO Lina |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Magnetron sputtering Tin-gallium oxide p-type conductivity Transparent conductive films |
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