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| 45nm PCRAM对GST CMP的挑战和解决方法 | |
| 作者姓名： | Li Jiang Feng Chen PuLei Zhu Mingqi Li Hongtao Liu Guanping Wu Ming Zhong AoDong He |
| 作者单位： | Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corp;Shanghai Institute of Micro-system and Information Technology,Chinese Academy of Sciences |
| 摘 要： | 本文报导GST(Ge2Sb2Te5)CMP工艺的挑战和解决方法。通过适当的抛光垫选择、工艺方案和清洗步骤优化解决GST的污染问题。实现最小氧化物损失的关键因素是抛光液的稀释比例和H2O2浓度的优化和控制过抛光。微微秒激光acoustics型测量工具证明适用于GST CMP工艺的在线和离线监控。 |
| 关 键 词： | 抛光垫 工艺方案 稀释比例 acoustics GST CMP nm PCRAM 污染问题 关键尺寸 和离 去除速率 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |