| Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量 |
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| 引用本文： | 卫静婷,冯玉春,李炳乾,杨建文,刘文,王质武,施炜,杨清斗.Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量[J].液晶与显示,2006,21(6):655-659. |
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| 作者姓名： | 卫静婷 冯玉春 李炳乾 杨建文 刘文 王质武 施炜 杨清斗 |
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| 作者单位： | 1. 深圳大学,光电子研究所,广东省光电子器件与系统重点实验室,光电子器件与系统教育部重点实验室,广东,深圳,518060
2. 佛山科学技术学院,物理系,广东,佛山,528000 |
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| 基金项目： | 广东省关键领域重点突破项目(No.2B2003A107)，深圳市科技计划项目(No.200515)，深圳大学省、部重点实验室开放基金项目 |
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| 摘 要： | 通过采用环形传输线方法(CILM),电流-电压(I-V)曲线、表面形貌等方法,研究不同的Ni/Au厚度比和空气气氛下合金退火温度对p型氮化镓欧姆接触特性造成的影响。根据Ni/Au与p型氮化镓欧姆接触的形成机制,采用合适的Ni/Au厚度比及退火温度,得到比接触电阻率(ρc)为1.09×10-5Ω.cm2的Ni/Au-p-GaN电极,并分析了Ni在退火过程中对形成良好的欧姆接触中所起到的作用。
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| 关 键 词： | p型氮化镓 镍/金 比接触电阻率 |
| 文章编号： | 1007-2780(2006)06-0655-05 |
| 修稿时间： | 2006年5月10日 |
Measurement of Ohmic Contact Resistivity Between Ni/Au and p-type GaN |
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| WEI Jing-ting,FENG Yu-chun,LI Bing-qian,YANG Jian-wen,LIU Wen,WANG Zhi-wu,SHI Wei,YANG Qing-dou.Measurement of Ohmic Contact Resistivity Between Ni/Au and p-type GaN[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2006,21(6):655-659. |
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| Authors: | WEI Jing-ting FENG Yu-chun LI Bing-qian YANG Jian-wen LIU Wen WANG Zhi-wu SHI Wei YANG Qing-dou |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | p-type GaN Ni/Au ohmic contact resistance |
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