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两种制备多晶铜铟硒薄膜方法的比较
引用本文:林飞燕,秦娟,徐环,史伟民,魏光普. 两种制备多晶铜铟硒薄膜方法的比较[J]. 半导体光电, 2007, 28(4): 528-530
作者姓名:林飞燕  秦娟  徐环  史伟民  魏光普
作者单位:上海大学,材料科学与工程学院,上海,200072;上海大学,材料科学与工程学院,上海,200072;上海大学,材料科学与工程学院,上海,200072;上海大学,材料科学与工程学院,上海,200072;上海大学,材料科学与工程学院,上海,200072
基金项目:上海市高校优秀青年教师后备人选科研项目 , 上海市科学技术委员会专项基金重点项目
摘    要:采用真空顺序蒸发铜铟金属预置层后真空硒化退火的方法(硒化法),以及真空三元叠层蒸发后氮气气氛退火的方法(叠层法)分别制备了太阳电池吸收层材料CuInSe2薄膜.通过X射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散X射线分析技术等分析手段对薄膜进行了表征.结果表明:两种方法制备的薄膜形貌都比较致密均匀,晶粒直径分别约1.5 μm和约1 μm.组分分析表明所制薄膜均为富铜CIS.硒化法制备的CIS薄膜具有单一的黄铜矿相结构;而叠层法制备的薄膜含有少量杂相,如β-In2Se3等.因此硒化法制备的薄膜更适于作为太阳能吸收层材料.

关 键 词:铜铟硒  薄膜太阳电池  真空蒸发法  硒化法
文章编号:1001-5868(2007)04-0528-03
修稿时间:2006-10-24

Comparison of Two Methods Fabricating CuInSe2 Polycrystalline Films
LIN Fei-yan,QIN Juan,XU Huan,SHI Wei-min,WEI Guang-pu. Comparison of Two Methods Fabricating CuInSe2 Polycrystalline Films[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2007, 28(4): 528-530
Authors:LIN Fei-yan  QIN Juan  XU Huan  SHI Wei-min  WEI Guang-pu
Affiliation:School of Material Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200072, CHN
Abstract:
Keywords:CuInSe2    thin film solar cells   vacuum evaporation   selenization
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