|
|||||
|
|
| 制造256M DRAM器件的新布线技术 | |
| 作者姓名： | 李淑芳 |
| 摘 要： | <正>在集成电路中,多层布线一般应用溅射铝膜加工而成,但在较高的集成度情况下,在很细的线条内,却会因通过高的电流密度而引起接触孔上铝层的退化和断裂。1991年11月美国《Semiconductor International》杂志介绍了日本日立公司研制的新的高熔金属钨(熔点3380℃)代替铝作为多层布线金属的方法,解决了这一问题。钨除了熔点高以外,稳定性亦佳,电流密度 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||
|
||||||||||||
|
||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |