用背散射测量砷注入单晶硅中的浓度分布 |
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作者姓名: | 殷士端 张敬平 顾铨 钟士谦 王振明 谢葆珍 刘世杰 |
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作者单位: | 中科院半导体所(殷士端,张敬平,顾铨),一机部自动化所(钟士谦,王振明),中科院高能所(谢葆珍),中科院高能所(刘世杰) |
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摘 要: | 将能量为150KeV、剂量为10~(14)~17~(17)/cm~2的砷离子注入(100)P型单晶硅,用~1.8MeV的He~ 束对注入砷的单晶硅进行背散射测量。讨论不同剂量和不同退火条件对砷在硅中浓度分布的影响。结果表明:R_P值随注入剂量的增加而逐渐减少,当剂量>5×10~6离子/cm~2时,变化更为显著。当热退火温度低于950℃时,砷的分布改变不明显,温度>1000℃时,分布曲线便偏离高斯分布。
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