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| 硅材料界面形态演化过程的相场法研究 | |
| 作者单位： | ;1.商洛学院陕西省尾矿资源综合利用重点实验室;2.商洛学院电子信息与电气工程学院 |
| 摘 要： | 采用有限差分法求解高界面能各向异性的相场模型,对硅材料晶粒生长过程进行模拟,分析了界面能各向异性强度和过冷度对界面形态演化的影响。结果表明:在高界面能各向异性下,硅晶粒为典型小平面枝晶形态,模拟结果和实验结果吻合。随着界面能各向异性强度的增大,晶粒界面形态由类球状经光滑枝晶向小平面枝晶转变;随着过冷度的增加,晶粒界面形态由类矩形向小平面枝晶转变。Y轴正方向晶粒长度在界面能各向异性强度为0.15和0.1时相当,Y轴正方向晶粒尖端温度在界面能各向异性强度为0.15时略高于界面能各向异性强度为0.1时的值。 |
| 关 键 词： | 相场法 界面形态 硅材料 界面能各向异性强度 过冷度 |
Research on Interface Morphology Evolution Process of Silicon Materials Using Phase Field Method |
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| Keywords: | |
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