| 应力条件下AIGaN／GaN HEMT电流崩塌效应研究 |
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| 引用本文： | 龙飞,杜江锋,罗谦,夏建新,杨谟华.应力条件下AIGaN／GaN HEMT电流崩塌效应研究[J].半导体技术,2006,31(3):173-175,179. |
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| 作者姓名： | 龙飞 杜江锋 罗谦 夏建新 杨谟华 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都610054 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（60072004） |
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| 摘 要： | 采用应力测试方法，获得了AlGaN／GaN HEMT漏极电流随时间的变化关系。实验结果表叫，应力导致漏极电流崩塌56．2％：不同电压应力条件下，只要所加时间足够长和电压足够人，相同栅压的电流崩塌程度都近似相等；漏极电流恢复时间与大小分别为34．5＋σVGS与σ（VGS-VT）（2-β）。研究表明，栅-漏间表面态捕获的电子使得表面电势发生变化，引起沟道中二维电子气浓度降低，从而导致电流崩塌效应的产生。此结论可提用于AlGaN／GaNHEMT器件电流崩塌效应进一步的理论探索和器件研究。
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| 关 键 词： | 电流崩塌效应 应力 高电子迁移率晶体管 表面态 |
| 文章编号： | 1003-353X（2006）03-0173-03 |
| 收稿时间： | 2005-10-04 |
| 修稿时间： | 2005年10月4日 |
A Study on Current Collapse in AIGaN/GaN HEMTs Induced by Bias Stress |
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| LONG Fei, DU Jiang-feng, LUO Qian, XIA Jian-xin, YANG Mo-hua.A Study on Current Collapse in AIGaN/GaN HEMTs Induced by Bias Stress[J].Semiconductor Technology,2006,31(3):173-175,179. |
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| Authors: | LONG Fei DU Jiang-feng LUO Qian XIA Jian-xin YANG Mo-hua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | current collapse bias stress HEMT surface state |
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