|
|||||
|
|
| 器件工艺对碲镉汞位错的影响 | |
| 作者姓名： | 苏九令 沈杰 |
| 作者单位： | 上海交通大学微电子技术研究所，中国科学院上海技术物理研究所 |
| 摘 要： | 用化学腐蚀法观察到，器件工艺过程中的机械应力和效应力使碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）晶片的位错大幅度增殖，汞气氛下低温热处理（２２０℃）使（ＨｇＣｄＴｅ）体材料的位错密度增殖３～４倍，并分别对实验室结果进行了分析讨论． |
| 关 键 词： | 半导体器件 工艺 碲镉汞 错位 影响 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |