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| In2Se3薄膜生长及结晶择优取向的影响因素研究 | |
| 引用本文： | 王兴磊,敖建平,何青,李凤岩,杨宇,王茺,孙云.In2Se3薄膜生长及结晶择优取向的影响因素研究[J].太阳能学报,2009,30(4). |
| 作者姓名： | 王兴磊 敖建平 何青 李凤岩 杨宇 王茺 孙云 |
| 作者单位： | 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津300071;云南大学材料科学与工程系,昆明,650091 2. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津300071 3. 云南大学工程技术研究院,昆明,650091 |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
| 摘 要： | (In,Ga)2Se3薄膜的生长结晶性的好坏直接影响着在其基础上化合生长的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜以及CIGS太阳电池器件的性能.实验就多源共蒸发制备In2Se3预制层工艺中3个主要条件,即衬底材质、Se源温度、衬底温度进行研究.分析讨论上述3种因素对In2Se3薄膜的结晶生长和择优取向生长的影响.发现:在Mo/苏打石灰玻璃(Mo/SLG)衬底上生长,Se源温度在270℃以上或衬底温度为380～400℃的较高温度时,制备的In2Se3预制层是单一晶相的In2Se3,其x射线衍射峰是以(110)和(300)峰为择优取向.反之,生长在苏打石灰玻璃(SLG)衬底上,Se源温度为230℃以下或衬底温度为较低温度300℃时,In2Se3预制层结晶质量较差,其X射线衍射峰则多以In2Se3(006)衍射峰为择优取向. |
| 关 键 词： | In2Se3薄膜 择优取向 太阳电池 |
STUDY ON EFFECTIVE FACTORS OF THE GROWTH AND THE PREFERRED ORIENTATION OF In2Se3 THIN FILMS |
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| Wang Xinghi,Ao Jianping,He Qing,Li Fengyan,Yang Yu,Wang Chong,Sun Yun.STUDY ON EFFECTIVE FACTORS OF THE GROWTH AND THE PREFERRED ORIENTATION OF In2Se3 THIN FILMS[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2009,30(4). | |
| Authors: | Wang Xinghi Ao Jianping He Qing Li Fengyan Yang Yu Wang Chong Sun Yun |
| Abstract: | |
| Keywords: | Cu(InGa)Se2 |
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