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| 分子束外延生长GaN薄膜的新方法 | |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 |
| 摘 要： | CaN是一种宽禁带半导体材料,它可以用来制作蓝绿光到近紫外波段的发光器件,近年来在国际上受到很大的重视。外延生长优质GaN薄膜已成为国外在Ⅲ-Ⅴ族半导体外延生长的新的主攻目标之一。生长GaN的技术美键之一是需要有产生高激活率的N源,迄今国际上所采用的N源由于激活率不够高,虽能生长好的六角结构的GaN薄膜,但不能生长结构特性良好的立方GaN |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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