| 硅—MOS型三维磁场敏感器结构研究 |
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| 引用本文： | 赖宗声 刘亿. 硅—MOS型三维磁场敏感器结构研究[J]. 传感技术学报, 1991, 4(3): 1-6 |
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| 作者姓名： | 赖宗声 刘亿 |
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| 作者单位： | 华东师范大学电子科学系(赖宗声，刘亿)，华东师范大学电子科学系(吴光励) |
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| 摘 要： | 本文提出了一种硅-MOS型三维磁场敏感器结构,它是将对B_z分量敏感的一维横向DMOS(LDMOS)与对B_x和B_y分量敏感的两维的纵向DMOS(VDMOS)开合集成在一起。该磁场敏感器的最小空间分辨率为:10μm×16μm×32.5μm,相对灵敏度S_(RY)优于6×10~(-2)T~(-1)。当外加磁感应强度低于0.4T时该器件非线性误差低于1×10~(-2)。由于本器件采用了特殊的相容性制造工艺,可易于得到与磁敏器件接口的电路优化设计。
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| 关 键 词： | 磁场敏感器 结构 三维 |
A Study of the Si-MOS 3-D Magnetic Field Sensor Structure |
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| Lai Zongsheng Liu Yi Wu Guangli. A Study of the Si-MOS 3-D Magnetic Field Sensor Structure[J]. Journal of Transduction Technology, 1991, 4(3): 1-6 |
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| Authors: | Lai Zongsheng Liu Yi Wu Guangli |
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| Keywords: | magnetic field sensor magnetotransistor double-diffused MOS device |
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