| SiC／Si异质生长的研究 |
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| 引用本文： | 朱作云,李跃进.SiC／Si异质生长的研究[J].西安电子科技大学学报,1997,24(1):122-125. |
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| 作者姓名： | 朱作云 李跃进 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所 |
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| 摘 要： | 在半导体材料中，ＳｉＣ比Ｓｉ具有更优越的物理特性、化学特性和半导体特性，在高温、高频和功率器件制造中有十分广阔的应用前景．但是它的材料制备很困难．文中在理论分析基础上，以Ｓｉ为衬底，用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）技术，在温度为１１００℃下，生长出ＳｉＣ多晶薄膜，样品用ＡＥＳ和Ｘ－射线衍射进行了测试和分析
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| 关 键 词： | APCVD 异质外延 缓冲层 |
Research on the growth of SiC/Si heterostructure |
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| Zhu Zuoyun,Li Yuejin,Yang Yingtang,Jia Hujun.Research on the growth of SiC/Si heterostructure[J].Journal of Xidian University,1997,24(1):122-125. |
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| Authors: | Zhu Zuoyun Li Yuejin Yang Yingtang Jia Hujun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | APCVD heteroepitaxy buffer layer |
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