| 2.5 GHz低相位噪声LC压控振荡器 |
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| 引用本文： | 韩斌,吴建辉.2.5 GHz低相位噪声LC压控振荡器[J].微电子学,2008,38(3):424-427. |
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| 作者姓名： | 韩斌 吴建辉 |
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| 作者单位： | 东南大学,国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096 |
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| 摘 要： | 在0.35 μm SiGe BiCMOS工艺条件下,设计了一个全集成的低相位噪声LC压控振荡器(VCO).该VCO采用尾电阻结构替代传统的尾电流源结构实现电流控制,以减小尾电流源产生的噪声.该VCO的调谐范围为480 MHz,可以覆盖2.32～2.8 GHz.当振荡频率为2.5 GHz时,100 kHz和1 MHz频偏处的相位噪声分别为-104.3 dBc/Hz和-124.3 dBc/Hz.振荡器工作电压为5 V,尾电流为5 mA.工作在2.5 GHz时,其100 kHz频偏处的性能系数为-178 dBc/Hz.
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| 关 键 词： | 压控振荡器 SiGe BiCMOS 低相位噪声 压控振荡器 Low Phase Noise 性能系数 工作电压 电流控制 频偏 振荡频率 覆盖 调谐范围 电流源 替代 结构 电阻 全集成 设计 工艺条件 SiGe BiCMOS |
A 2.5 GHz LC Voltage Controlled Oscillator with Low Phase Noise |
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| HAN Bin,WU Jianhui.A 2.5 GHz LC Voltage Controlled Oscillator with Low Phase Noise[J].Microelectronics,2008,38(3):424-427. |
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| Authors: | HAN Bin WU Jianhui |
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