| 缺陷对RRAM材料阻变机理的影响 |
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| 引用本文： | 杨金,代月花,徐太龙,蒋先伟,许会芳,卢金龙,罗京,陈军宁.缺陷对RRAM材料阻变机理的影响[J].功能材料,2013(17):2481-2485. |
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| 作者姓名： | 杨金 代月花 徐太龙 蒋先伟 许会芳 卢金龙 罗京 陈军宁 |
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| 作者单位： | 安徽大学电子信息工程学院;淮北师范大学物理与电子信息学院 |
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| 基金项目： | 国家青年科学基金资助项目(61006064);国家“核高基”重大专项子课题资助项目(2009ZX01031-001-004,2010ZX01030-001-001-004);安徽省高校优秀青年基金资助项目(2010SQRL013ZD) |
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| 摘 要： | 基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理和VASP仿真软件,分析了阻变随机存储器(RRAM)阻变效应的物理机制。对比计算了单斜晶相HfO2中Ag掺杂体系、氧空位缺陷体系和Ag及氧空位缺陷共掺杂复合缺陷体系的能带、态密度、分波电荷态密度面和形成能,结果表明在相同浓度下Ag掺杂体系能形成导电通道,而氧空位缺陷体系不能形成导电通道;共掺杂体系中其阻变机制以Ag传导为主,氧空位缺陷为辅,且其形成能变小,体系更加稳定。计算共掺杂体系的布居数和迁移势垒,得出在氧空位缺陷存在的前提下,Ag—O键长明显增加,Ag离子的迁移势垒变小,电化学性能增强。进一步计算了缺陷间的相互作用能,其值为负,表明缺陷间具有相互缔合作用,体系更加稳定。
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| 关 键 词： | VASP 阻变效应 缺陷 导电通道 RRAM |
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