| 高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器 |
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| 引用本文： | 游达,汤英文,赵德刚,许金通,徐运华,龚海梅.高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器[J].半导体学报,2006,27(5):896-899. |
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| 作者姓名： | 游达 汤英文 赵德刚 许金通 徐运华 龚海梅 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理所 传感技术国家重点实验室，上海 200083;中国科学院上海技术物理所 传感技术国家重点实验室，上海 200083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院上海技术物理所 传感技术国家重点实验室，上海 200083;中国科学院上海技术物理所 传感技术国家重点实验室，上海 200083;中国科学院上海技术物理所 传感技术国家重点实验室，上海 200083 |
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| 摘 要： | 研究了Al0.1Ga0.9N/GaN异质结p-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能.p区采用Al组分含量为0.1的AlGaN外延材料形成窗口层,使340～365nm波段的紫外光可以直接透过p区到达i区并被吸收,有效提高了这个波段的响应率与量子效率.并且研究了不同p区AlGaN外延层厚度对探测器性能的影响,制备了两种不同p区厚度(0.1μm和0.15μm)的器件,测试结果表明,p区的厚度对200～340nm波段光吸收的量子效率影响较大,而i区的晶体质量的提高可以有效提高340～365nm波段光吸收的量子效率.并且当p区AlGaN厚度为0.15μm时,器件的峰值响应率达到0.214A/W,在考虑表面反射时外量子效率高达85.6%,接近理论极限,并且在零偏压时暗电流密度为3.16nA/cm2,表明器件具有非常高的信噪比.
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| 关 键 词： | p-i-n AlGaN 量子效率 响应光谱 高量子效率 结构 紫外探测器 High Quantum Efficiency Based UV Photodetector 信噪比 暗电流密度 偏压 理论极限 外量子效率 表面反射 峰值 晶体质量 效率影响 光吸收 测试结果 器件 层厚度 探测器性能 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)05-0896-04 |
| 收稿时间： | 08 22 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 12 29 2005 12:00AM |
Characteristics of a Front-Illuminated Visible-Blind UV PhotodetectorBased on GaN p-i-n Photodiodes with High Quantum Efficiency |
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| You D,Tang Yingwen,Zhao Degang,Xu Jintong,Xu Yunhua and Gong Haimei.Characteristics of a Front-Illuminated Visible-Blind UV PhotodetectorBased on GaN p-i-n Photodiodes with High Quantum Efficiency[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(5):896-899. |
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| Authors: | You D Tang Yingwen Zhao Degang Xu Jintong Xu Yunhua and Gong Haimei |
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| Affiliation: | Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China;Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China;Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China;Shanghai Institute of Technical Physics,Chinese Academy of Sciences,Shanghai 200083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | p-i-n AlGaN quantum efficiency response spectrum |
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