短沟道SOI中的阈值电压下降问题的研究 |
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引用本文: | 吴一尘,黄河. 短沟道SOI中的阈值电压下降问题的研究[J]. 现代计算机, 2009, 0(4) |
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作者姓名: | 吴一尘 黄河 |
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作者单位: | 华南师范大学计算机学院,广州510631 |
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摘 要: | 运用电荷分享模型推导出背界面处于耗尽状态的单栅和双栅薄膜SOIMOSFET中短沟道效应引起的闽值电压下降的理论模型。利用MatLab进行了数值模拟计算.并比较了单栅和双栅器件的结果。同时分析了沟道区掺杂浓度、硅膜厚度、栅氧化层厚度对阈值电压下降的影响。结果表明.薄膜器件有利于减小短沟道效应.而双栅器件短沟道效应比单栅器件减小4倍。另外.对于薄膜器件来说,改变器件结构要比改变器件参数对短沟道效应的抑制作用好得多。
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关 键 词: | 单栅SOI MOSFET 双栅SOI MOSFET 短沟道效应 闻值电压下降 |
Analysis of Threshold Voltage Decreasing for Single-Gate and Double-Gate SOI MOSFET |
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Abstract: | |
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