| 基于D-S效应的太赫兹源研究 |
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| 引用本文： | 林 滑,余厉阳,孟凡亮,文进才,余志平.基于D-S效应的太赫兹源研究[J].微波学报,2016,32(5):62-65. |
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| 作者姓名： | 林 滑 余厉阳 孟凡亮 文进才 余志平 |
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| 作者单位： | 1. 杭州电子科技大学电子信息学院, 杭州 310018; 2. 清华大学微电子学研究所, 北京 100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61331006) |
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| 摘 要： | 基于Dyakonov-Shur 效应(D-S 效应)利用MOSFET 可构建太赫兹源。研究表明MOSFET沟道内的1mV信号在偏置电压的作用下产生波动并形成等离子波,其电学特性与谐振腔相似。当MOSFET 外接5 V 的偏置电压源时,输出频率为2.15THz、峰值为2mV 的等离子信号。通过调节偏置电压(1～20 V)可以使输出信号在0.96～4.30THz 范围内调频。此外,MOSFET 在5V 的偏置电压和5A的偏置电流的共同作用下,沟道内产生的等离子波随时间的推移以指数形式放大。受器件限制和沟道夹断效应影响,该信号源的最大输出电压为20V,电压增益最大可达到86dB,最大输出功率为200W。在器件允许范围内,偏置电压越大信号频率越高、偏置电流越大起振时间越短,且偏置电流引起的信号频偏小。
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| 关 键 词： | D-S效应 等离子波 MOSFET 太赫兹源 |
Research on Terahertz Source Based on the D-S Effect |
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| LIN Hu,YU Li-yang,MENG Fan-liang,WEN Jin-cai,YU Zhi-ping.Research on Terahertz Source Based on the D-S Effect[J].Journal of Microwaves,2016,32(5):62-65. |
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| Authors: | LIN Hu YU Li-yang MENG Fan-liang WEN Jin-cai YU Zhi-ping |
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| Affiliation: | 1. College of Electronic Information,Hangzhou Dianzi University, Hangzhou 310018, China; 2. Institute of Microelectronics,Tsinghua University, Beijing 100084, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Dyakonov-Shur effect plasma wave MOSFET terahertz source |
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