适合高压BIMOS应用的DMOS晶体管

LDMOS晶体管下面埋层的优化布局扩大了高压BIMOS集成电路中器件的用途。将resurf效应和掩层栅的基本理论相结合产生了高压性能未受影响的LDMOS晶体管:其源—漏雪崩击穿电压大于300伏,沟道—衬底穿通击穿电压大于200伏。制作这种高压LDMOS晶体管的工艺是结隔离外延工艺。采用这种工艺能在同一集成电路上实现高速发射极功能逻辑和高压驱动器功能。本文还叙述了实现高压掩埋栅LDMOS晶体管所需的工艺改进和器件设计。 为了比较高压NPN和LDMOS晶体管的工艺要求,介绍了计算NPN晶体管集电极—发射极击穿的一种新方法。具有高于20MHz时钟速率的高速逻辑的一种高压等离子驱动器表明了该工艺和最佳LDMOS晶体管的广泛用途。