| 功率MOS器件单粒子烧毁效应的PSPICE模拟 |
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| 引用本文： | 唐本奇,王燕萍,耿斌,陈晓华,杨海亮. 功率MOS器件单粒子烧毁效应的PSPICE模拟[J]. 核电子学与探测技术, 1999, 19(6): 422-427 |
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| 作者姓名： | 唐本奇 王燕萍 耿斌 陈晓华 杨海亮 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所,西安,710024 |
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| 摘 要： | 建立了功率MOS器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法，对功率MOS器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和PSPICE模拟，模拟结果与文献中提供的数据相符合，表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的。
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| 关 键 词： | 功率MOS器件 单粒子烧毁 电路模拟 |
| 修稿时间： | :1998-08-0 |
PSPICE Simulation for Single Event Burnout of Power MOSFETs |
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| Tang Benqi,Wang Yanping,Geng Bin,Chen Xiaohua,Yang Hailiang. PSPICE Simulation for Single Event Burnout of Power MOSFETs[J]. Nuclear Electronics & Detection Technology, 1999, 19(6): 422-427 |
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| Authors: | Tang Benqi Wang Yanping Geng Bin Chen Xiaohua Yang Hailiang |
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| Abstract: | A new model is established to make simulation for Single Event Burnout of power MODFETs using PSPICE circuit simulation software. The application results have a very good agreement with the corresponding data in published articles. |
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| Keywords: | Power MOSFET Single event burnout PSPICE circuit simulation |
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