| 升华法生长AlN体单晶初探 |
| |
| 引用本文： | 赵有文,董志远,魏学成,段满龙,李晋闽. 升华法生长AlN体单晶初探[J]. 半导体学报, 2006, 27(7): 1241-1245 |
| |
| 作者姓名： | 赵有文 董志远 魏学成 段满龙 李晋闽 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
| |
| 摘 要： | 研究了高温升华法(PVT)生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温度达到2200℃左右时,在AlN陶瓷片和6H-SiC片上生长了直径22mm的AlN晶体,最大的晶粒尺寸长10mm、直径5mm.利用X射线粉末衍射分析了几种不同AlN样品的结构和组成.讨论了PVT法生长AlN晶体所涉及的化学热力学过程和现象.
|
| 关 键 词： | 氮化铝 晶体 升华法 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)07-1241-05 |
| 收稿时间： | 2005-11-06 |
| 修稿时间： | 2006-02-05 |
Study of Sublimation Crystal Growth of Bulk AlN |
| |
| Zhao Youwen,Dong Zhiyuan,Wei Xuecheng,Duan Manlong and Li Jinmin. Study of Sublimation Crystal Growth of Bulk AlN[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(7): 1241-1245 |
| |
| Authors: | Zhao Youwen Dong Zhiyuan Wei Xuecheng Duan Manlong Li Jinmin |
| |
| Affiliation: | Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | AlN crystal sublimation |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
