| CIGS双梯度带隙吸收层的制备及特性 |
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| 引用本文： | 李强,康振锋,刘文德,郑平平,肖玲玲,范悦,薄青瑞,齐彬彬,丁铁柱.CIGS双梯度带隙吸收层的制备及特性[J].真空,2014(1). |
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| 作者姓名： | 李强 康振锋 刘文德 郑平平 肖玲玲 范悦 薄青瑞 齐彬彬 丁铁柱 |
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| 作者单位： | 内蒙古大学物理科学与技术学院;内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(批准号:11264025);内蒙古自治区重大基础研究开放课题(批准号20130902) |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在钠钙玻璃上沉积不同Ga含量的CuIn(1-x)Gax Se2薄膜,研究不同Ga含量对CIGS薄膜结构及光学特性的影响。研究表明:随着Ga含量增加,CIGS薄膜的光学带隙增大。优选特性较好的CIGS沉积在同一个钠钙玻璃衬底上,使Ga/(In+Ga)比在薄膜内纵深方向呈先减小后增加的变化。采用XPS逐层刻蚀分析薄膜的元素组成,利用带隙近似公式得到能带随深度变化情况,最终得到结构、光学特性和电学特性较好的双梯度带隙结构薄膜。
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 CuIn(-x)GaxSe XPS逐层刻蚀 双梯度带隙 |
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