| 衬底材料对空心阴极沉积氢化微晶硅薄膜的影响 |
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| 作者姓名： | 葛腾 陈玖香 张受业 施继龙 陈强 |
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| 作者单位： | 北京印刷学院;等离子体物理及材料研究室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.11175024,11375031);北京市自然科学基金(No.1112012)、2011BAD24B01、KM201110015008、KM201010015005、KM201310015006;北京印刷学院重点项目(No.23190113051)、PHR20110516、PHR201107145;2012年度福建省科技厅工业科技重点项目(2012H0008)共同资助 |
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| 摘 要： | 本文中,我们采用空心阴极等离子体增强化学气相沉积(MHC-PECVD)在玻璃、表面溅射氧化铟锡(ITO)的玻璃(玻璃+ITO)以及表面溅射ITO的聚酰亚胺(PI+ITO)柔性衬底上沉积氢化微晶硅(μc-Si:H),研究不同衬底材料对微晶硅薄膜性质的影响。我们发现在PI+ITO衬底上沉积薄膜的结晶率(Xc)最小,且结晶率最大值时的温度依赖沉底材料:对于PI+ITO衬底来说,结晶率最大值时的温度为200℃,而对于玻璃和玻璃+ITO衬底来说,这个温度会在250℃~300℃之间浮动。我们认为PI+ITO衬底上薄膜较低的结晶率与其较高的热膨胀系数(CTE)以及小分子和气体的释放有关。
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| 关 键 词： | 微晶硅 低温沉积 空心阴极放电 结晶率 柔性衬底 |
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