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| Si:Cr中的E能级的计算 | |
| 引用本文： | 王永良.Si:Cr中的E能级的计算[J].半导体学报,1986,7(4):387-396. |
| 作者姓名： | 王永良 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 用非自治的准带晶格场方法计算了Si :Cr中的E能级.杂质的局域态波函数用单中心的类氢波函数展开.在格林函数的计算中用大元胞模型使对布里渊区的求和大大简化.硅中替代杂质Cr所产生的屏蔽微扰势用线性响应理论得到.计算得到的E能级在带隙中的位置同自治的同类计算的结果符合很好. |
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