| 大功率InGaN蓝光LED的电子束辐照效应 |
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| 引用本文： | 张瑞宾,李天明,黄以平,宁忠萍,刘海浪. 大功率InGaN蓝光LED的电子束辐照效应[J]. 固体电子学研究与进展, 2014, 0(3) |
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| 作者姓名： | 张瑞宾 李天明 黄以平 宁忠萍 刘海浪 |
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| 作者单位： | 桂林航天工业学院汽车工程系;桂林电子科技大学机电工程学院;桂林航天工业学院教务处; |
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| 基金项目： | 广西自然科学基金资助项目(2013GXNSFAA019322);广西制造系统与先进制造技术重点实验室主任基金资助项目(12-071-11-61_004) |
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| 摘 要： | 采用Monte-Carlo模拟与实验研究相结合的方法,针对大功率InGaN蓝光LED进行了电子束辐照效应研究。根据InGaN蓝光LED芯片材料的特点,在CASINO软件中建立了结构模型。运用Monte-Carlo模拟分析了以不同能量的电子束射入芯片材料时,电子的运动区域及能量损耗等变化情况。使用光谱辐射计对辐照前后LED进行测试,从宏观的角度研究了电子束对LED光电特性的影响。结果表明:InGaN材料对能级越低的电子能量吸收能力越强,能级越低的电子束对InGaN蓝光LED芯片的光通量及辐射通量辐照损伤影响越大。
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| 关 键 词： | 电子束辐照 大功率发光二极管 蒙特卡洛 铟镓氮 辐照损伤 |
Electron-beam Irradiation Effect of High-power InGaN Blue LED |
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