| RF LDMOS器件与高效率功率放大器设计 |
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| 引用本文： | 郑云飞,王一哲,张小苗,罗玲,曾大杰,宋贺伦. RF LDMOS器件与高效率功率放大器设计[J]. 固体电子学研究与进展, 2014, 0(1) |
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| 作者姓名： | 郑云飞 王一哲 张小苗 罗玲 曾大杰 宋贺伦 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学天线与微波国家重点实验室;中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; |
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| 摘 要： | 为满足人们高速通信的需求,多载波、宽带已经成为新的发展方向,这对功率器件和放大器需要提出新的要求。文中基于改进后CMOS工艺模块,针对GSM基站频段,通过对RF LDMOS版图的优化,制备了实际的RF LDMOS芯片,使用负载牵引系统测出器件在940MHz时P3dB压缩点输出功率52.6dBm,效率72%。并使用负载牵引系统测量出的数据制作了一款工作于920~960MHz的高效率功率放大器,通过对匹配电路地优化,P1dB压缩点达到52.7dBm,P1dB压缩点效率为65%,在功率回退8dB时效率为32.8%,线性增益18dB。
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| 关 键 词： | 功率器件 漏极效率 互补金属氧化物半导体工艺 功率放大器 负载牵引系统 |
Design of RF LDMOS and High Efficiency Power Amplifier |
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