| 基于GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器 |
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| 引用本文： | 李晓鹏,王志功,张有涛,张敏,陈新宇,杨磊.基于GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器[J].固体电子学研究与进展,2014(3). |
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| 作者姓名： | 李晓鹏 王志功 张有涛 张敏 陈新宇 杨磊 |
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| 作者单位： | 东南大学射频与光电集成电路研究所;南京国博电子有限公司;南京电子器件研究所;微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室; |
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| 摘 要： | 介绍一种基于1μm GaAs HBT工艺的12位1GS/s多奈奎斯特域数模转换器(DAC)。使用信号归零技术将DAC的有效输出带宽拓展到第三奈奎斯特频域。该DAC在第一至第三奈奎斯特频域内具有平坦的输出功率和较好的SFDR。测试结果表明,与传统DAC相比,多奈奎斯特域DAC在第二奈奎斯特频点附近的输出功率增大37dB,SFDR提高25dB。
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| 关 键 词： | 数模转换器 多奈奎斯特 归零 |
A 12 bit 1GS/s Multiple Nyquist DAC Using GaAs HBT Technology |
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