| LDMOS器件软失效分析及优化设计 |
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| 引用本文： | 黄龙,梁海莲,毕秀文,顾晓峰,曹华锋,董树荣.LDMOS器件软失效分析及优化设计[J].固体电子学研究与进展,2014(6). |
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| 作者姓名： | 黄龙 梁海莲 毕秀文 顾晓峰 曹华锋 董树荣 |
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| 作者单位： | 轻工过程先进控制教育部重点实验室江南大学电子工程系;浙江大学微电子与光电子研究所; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61171038,61150110485);中央高校基本科研业务费专项资金(JUSRP51323B,JUDCF13032);江苏省科技厅产学研联合创新资金前瞻性联合研究项目(BY2013015-19);江苏省普通高校研究生创新计划(CXLX13-747,KYLX-1119) |
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| 摘 要： | 横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件在高压静电放电(ESD)防护过程中易因软失效而降低ESD鲁棒性。基于0.25μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺分析了LDMOS器件发生软失效的物理机理,并提出了增强ESD鲁棒性的版图优化方法。首先制备了含N型轻掺杂漏版图的LDMOS器件,传输线脉冲(TLP)测试表明,器件在ESD应力下触发后一旦回滞即发生软失效,漏电流从2.19×10-9 A缓慢增至7.70×10-8 A。接着,对LDMOS器件内部电流密度、空间电荷及电场的分布进行了仿真,通过对比发现电场诱导的体穿通是引起软失效及漏电流增大的主要原因。最后,用深注入的N阱替代N型轻掺杂漏版图制备了LDMOS器件,TLP测试和仿真结果均表明,抑制的体穿通能有效削弱软失效,使其适用于高压功率集成电路的ESD防护。
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| 关 键 词： | 横向扩散金属氧化物半导体 静电放电 软失效 体穿通 传输线脉冲测试 |
Soft Failure Analysis and Optimization of LDMOS Devices |
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