| Ku波段60W AlGaN/GaN功率管 |
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| 引用本文： | 钟世昌,陈堂胜,钱锋,陈辰,高涛.Ku波段60W AlGaN/GaN功率管[J].固体电子学研究与进展,2014(4). |
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| 作者姓名： | 钟世昌 陈堂胜 钱锋 陈辰 高涛 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所;单片集成电路及模块电路国家重点实验室; |
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| 基金项目： | 南京电子器件研究所单片电路设计部 |
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| 摘 要： | 针对Ku波段60W氮化镓内匹配功率管,开展了内匹配电路的设计、合成以及内匹配电路的测试等研究工作,实现了GaN功率HEMT在Ku波段60W输出功率的内匹配电路,并使整个电路的输入、输出电路阻抗提升至50Ω。该功率管采用南京电子器件研究所研制的两个10.8mm栅宽管芯进行合成,最终研制的GaN Ku波段内匹配功率管在28V漏电压、1ms周期、10%占空比及14.0~14.5GHz频带内输出功率大于60W,最高功率输出66W,带内功率增益大于6dB,最大功率附加效率33.1%,充分显示了GaN功率器件在Ku波段应用的性能优势。
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| 关 键 词： | 氮化镓功率管 Ku波段 内匹配 |
Ku-band 60W AlGaN/GaN Internally Matched Power HEMT |
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