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| C波段大功率单刀四掷收发开关的设计 | |
| 引用本文： | 郁健. C波段大功率单刀四掷收发开关的设计[J]. 固体电子学研究与进展, 2014, 0(4) |
| 作者姓名： | 郁健 |
| 作者单位： | 南京电子器件研究所; |
| 摘 要： | 采用电磁场分析方法,研究在大功率工作条件下台面结构PIN二极管管芯的工作模式,提取相应的S参数,以优化并联式开关电路的阻抗匹配网络,分析开关导通和关断时的电性能,以及大信号下的功率损耗,研制出了C波段大功率单刀四掷开关。在5.1~5.7GHz频带内,测得开关小信号插损小于0.67dB、驻波比小于1.2、隔离度优于55dB、开通时间优于380ns、关断时间优于230ns;大信号插损小于1.1dB、检波延迟时间优于118ns,设计指标满足了工程应用的要求。 |
| 关 键 词： | PIN二极管 大功率 插损 单刀四掷开关 |
Design of C-band High Power Single-pole Four-throw Switch for Transceiver Applications |
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| Keywords: | |
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