| 用于多模多频射频前端的单刀八掷SOI天线开关设计 |
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| 引用本文： | 陈磊,赵鹏,崔杰,康春雷,史佳,牛旭,刘轶. 用于多模多频射频前端的单刀八掷SOI天线开关设计[J]. 固体电子学研究与进展, 2014, 0(1) |
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| 作者姓名： | 陈磊 赵鹏 崔杰 康春雷 史佳 牛旭 刘轶 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海高等研究院;中国科学院大学; |
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| 摘 要： | 提出了一种用于手机多模多频前端的射频单刀八掷(SP8T)天线开关设计,该开关采用绝缘体上硅(SOI)工艺实现。由于衬底电阻率高达1 000Ω·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果表明,该款开关的插入损耗在0~2.4GHz频段内均小于1dB,隔离度平均大于35dB,功率处理能力也达到了36dBm以上,完全满足设计需求。
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| 关 键 词： | 绝缘体上硅工艺 单刀八掷开关 插入损耗 隔离度 功率处理能力 |
Design of an SP8T Silicon-on-insulator Antenna Switch for Multi-mode Multi-band RF Front-end |
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